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J-GLOBAL ID：200902184897896325   整理番号：93A0732371

Characterization of SOI MOSFETs by gate capacitance measurements.

著者 (2件)： FLANDRE D (Lab. Microelectronique, Louvain-la-Neuve, BEL) ,  GENTINNE B (Lab. Microelectronique, Louvain-la-Neuve, BEL)
資料名： Proceedings. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures  (Proceedings. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures)
巻： 1993  ページ： 283-287  発行年： 1993年 
JST資料番号： T0991A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： SOI