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J-GLOBAL ID：200902184916321185   整理番号：93A0870519

SIMOX埋込み酸化膜中の欠陥による電気伝導

Defect Electrical Conduction in SIMOX Buried Oxides.

著者 (2件)： BROWN G A (Texas Instruments Inc., TX) ,  REVESZ A G (Revesz Assoc., MD)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 40  号： 9  ページ： 1700-1705  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SIMOX構造における埋込み酸化膜(BOX)層は,バルク導電...

シソーラス用語： SIMOX ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： SIMOX ,  埋込み酸化膜 ,  欠陥 ,  電気伝導