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J-GLOBAL ID：200902184975661844   整理番号：02A0667189

CH₄/H₂乾燥エッチングと再成長によって作製した歪み補償GaInAsP/InP量子ワイアレーザの低損傷エッチ/再成長界面

Low-damage etched/regrown interface of strain-compensated GaInAsP/InP quantum-wire laser fabricated by CH₄/H₂ dry etching and regrowth.

著者 (6件)： YAGI H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MURANUSHI K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NUNOYA N (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SANO T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TAMURA S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 81  号： 6  ページ： 966-968  発行年： 2002年08月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイア幅23nmのGaInAsP/InP歪み補償5層量子ワイ...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...
準シソーラス用語： SEM【顕微鏡】

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分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (13件)： H2 ,  エッチング ,  再成長 ,  作製 ,  歪み補償 ,  GaInAsP ,  InP ,  量子 ,  ワイア ,  レーザ ,  損傷 ,  エッチ ,  界面