文献

J-GLOBAL ID：200902185029605310   整理番号：96A0951388

HWE成長させた狭いギャップの半導体Pb(Tl)Te膜の超伝導と輸送特性

Superconductivity and transport properties of narrow-gap semiconductor Pb(Tl)Te film by HWE growth.

著者 (3件)： MURAKAMI H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HATTORI W (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  AOKI R (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Physica C. Superconductivity and Its Applications  (Physica C. Superconductivity and Its Applications)
巻： 269  号： 1/2  ページ： 83-91  発行年： 1996年09月20日 
JST資料番号： T0580A  ISSN： 0921-4534  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Tlを少量含んだ標記IV-VI半導体は正孔密度p≒10<su...

シソーラス用語： テルル化鉛 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0951388&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0580A") }}

分類 (1件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長 ,  ギャップ ,  Pb ,  Tl ,  Te ,  伝導 ,  輸送特性