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J-GLOBAL ID：200902185029943330   整理番号：99A0667459

Si(100)上に低温蒸着したAlN薄膜の電気的性質

Electrical properties of AlN thin films deposited at low temperature on Si(100).

著者 (6件)： AARDAHL C L (Univ. Washington, WA, USA) ,  ROGERS J W JR (Univ. Washington, WA, USA) ,  YUN H K (Univ. Washington, WA, USA) ,  ONO Y (Sharp Microelectronics Technol., Inc., WA, USA) ,  TWEET D J (Sharp Microelectronics Technol., Inc., WA, USA) ,  HSU S-T (Sharp Microelectronics Technol., Inc., WA, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 346  号： 1/2  ページ： 174-180  発行年： 1999年06月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンモニアとジメチルエチルアミンアラン(DMEAA)の交互供...

シソーラス用語： *薄膜成長 ,...
準シソーラス用語： エリプソメトリー ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

物質索引 (1件)： ジメチルエチルアミンアラン

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  低温 ,  蒸着 ,  AlN ,  薄膜 ,  電気的性質