文献
J-GLOBAL ID:200902185097052257
整理番号:93A0890129
Etching of Si, SiO2, and Si3N4 in CF4+H2 Plasma at High Concentration of Hydrogen.
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0890129©=1") }}
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{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0890129&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0591C") }}
著者 (2件):
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資料名:
巻:
8
号:
4
ページ:
578-582
発行年:
1993年08月
JST資料番号:
D0591C
ISSN:
0734-1520
CODEN:
PCMSER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)
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