Etching of Si, SiO2, and Si3N4 in CF4+H2 Plasma at High Concentration of Hydrogen.

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J-GLOBAL ID：200902185097052257 整理番号：93A0890129

Etching of Si, SiO₂, and Si₃N₄ in CF₄+H₂ Plasma at High Concentration of Hydrogen.

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巻： 8 号： 4 ページ： 578-582 発行年： 1993年08月
JST資料番号： D0591C ISSN： 0734-1520 CODEN： PCMSER 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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