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J-GLOBAL ID：200902185186395516   整理番号：02A0620129

CZ-Si結晶成長における温度勾配の動径分布と微小欠陥分布予測に対するその適用

Radial distribution of temperature gradients in growing CZ-Si crystals and its application to the prediction of microdefect distribution.

著者 (8件)： KITAMURA K (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN) ,  FURUKAWA J (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN) ,  NAKADA Y (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN) ,  ONO N (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN) ,  SHIMANUKI Y (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN) ,  EIDENZON A M (Podolsk Chemical-Metallurgical Plant, Moscow Region, RUS) ,  PUZANOV N I (Podolsk Chemical-Metallurgical Plant, Moscow Region, RUS) ,  PUZANOV D N (Podolsk Chemical-Metallurgical Plant, Moscow Region, RUS)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 242  号： 3/4  ページ： 293-301  発行年： 2002年07月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 融液対流模型を用いて行なった熱輸送の大域的解析から求めたシミ...

シソーラス用語： 単結晶 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si結晶 ,  成長 ,  温度勾配 ,  動径分布 ,  微小 ,  欠陥 ,  分布 ,  予測