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J-GLOBAL ID:200902185202460137   整理番号:00A0223369

SiGe傾斜組成バッファ層の超高速蒸着に対するプラズマ過程

A plasma process for ultrafast deposition of SiGe graded buffer layers.
著者 (5件):
資料名:
巻: 76  号:ページ: 427-429  発行年: 2000年01月24日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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低エネルギープラズマ増強化学蒸着(LEPECVD)をSi変調...
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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