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J-GLOBAL ID：200902185202460137   整理番号：00A0223369

SiGe傾斜組成バッファ層の超高速蒸着に対するプラズマ過程

A plasma process for ultrafast deposition of SiGe graded buffer layers.
著者 (5件)：
ROSENBLAD C

ROSENBLAD C について

(ETH-Zuerich, Zuerich, CHE)

ETH-Zuerich, Zuerich, CHE について

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VON KAENEL H

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(ETH-Zuerich, Zuerich, CHE)

ETH-Zuerich, Zuerich, CHE について

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KUMMER M

KUMMER M について

(Interstaatliche Fachhochsch. Technik Buchs, Buchs, CHE)

Interstaatliche Fachhochsch. Technik Buchs, Buchs, CHE について

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DOMMANN A

DOMMANN A について

(Interstaatliche Fachhochsch. Technik Buchs, Buchs, CHE)

Interstaatliche Fachhochsch. Technik Buchs, Buchs, CHE について

, 
MUELLER E

MUELLER E について

(PSI, Villigen, CHE)

PSI, Villigen, CHE について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 76  号： 4  ページ： 427-429  発行年： 2000年01月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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低エネルギープラズマ増強化学蒸着(LEPECVD)をSi変調...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*プラズマCVD

プラズマCVD について

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
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SiGe

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傾斜組成

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バッファ層

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蒸着

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プラズマ

プラズマ について

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過程

過程 について


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