文献
J-GLOBAL ID：200902185267106624   整理番号：97A0729221

SiC単結晶の昇華成長のシミュレーション

Simulation of Sublimation Growth of SiC Single Crystals.
著者 (3件)：
KARPOV S YU

KARPOV S YU について

(Advanced Technol. Center, St. Petersburg, RUS)

Advanced Technol. Center, St. Petersburg, RUS について

, 
MAKAROV YU N

MAKAROV YU N について

(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)

Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU について

, 
RAMM M S

RAMM M S について

(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)

A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS について


資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Research  (Physica Status Solidi. B. Basic Research)

Physica Status Solidi. B. Basic Research について


巻： 202  号： 1  ページ： 201-220  発行年： 1997年07月01日 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
SiCの成長装置の設計と成長過程の最適化のためにSiCの昇華...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
炭化ケイ素

炭化ケイ素 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0729221&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0599A") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長 
(BK13040X)

半導体の結晶成長 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
SiC

SiC について

, 
単結晶

単結晶 について

, 
昇華

昇華 について

, 
成長

成長 について

, 
シミュレーション

シミュレーション について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM