AlNバッファ層蒸着条件のGaN層特性への影響

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J-GLOBAL ID：200902185375547920 整理番号：99A0839179

Effect of AlN buffer layer deposition conditions on the properties of GaN layer.

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資料名：
巻： 205 号： 1/2 ページ： 20-24 発行年： 1999年08月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

サファイア基板上AlNバッファ層を介してのGaN薄膜成長にお...

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半導体薄膜

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