文献
J-GLOBAL ID：200902185451090382   整理番号：93A0787582

Picosecond decay dynamics in porous silicon.

  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0787582&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19930444") }}
著者 (4件)：
MATSUMOTO T

MATSUMOTO T について

(Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN)

Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN について

, 
FUTAGI T

FUTAGI T について

(Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN)

Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN について

, 
MIMURA H

MIMURA H について

(Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN)

Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN について

, 
KANEMITSU Y

KANEMITSU Y について

(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)

Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN について


資料名：
Microcrystalline Semiconductors: Materials Science & Devices  (Microcrystalline Semiconductors: Materials Science & Devices)

Microcrystalline Semiconductors: Materials Science & Devices について


ページ： 149-153  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930444  ISBN： 1-55899-178-6  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM