文献
J-GLOBAL ID：200902185631995278   整理番号：94A0062831

Monitoring iron contamination in silicon by surface photovoltage and correlation to gate oxide integrity.

著者 (3件)：
HENLEY W B

HENLEY W B について

(Univ. South Florida)

Univ. South Florida について

, 
JASTRZEBSKI L

JASTRZEBSKI L について

(Univ. South Florida)

Univ. South Florida について

, 
HADDAD N F

HADDAD N F について

(IBM Corp., VA)

IBM Corp., VA について


資料名：
Surface Chemical Cleaning and Passivation for Semiconductor Processing  (Surface Chemical Cleaning and Passivation for Semiconductor Processing)

Surface Chemical Cleaning and Passivation for Semiconductor Processing について


ページ： 299-312  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930660  ISBN： 1-55899-213-8  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

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