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J-GLOBAL ID：200902185722272422   整理番号：93A0915790

In situ investigation by IR ellipsometry of the growth and interfaces of amorphous silicon and related materials.

著者 (3件)： OSSIKOVSKI R (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  SHIRAI H (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  DREVILLON B (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 234  号： 1/2  ページ： 363-366  発行年： 1993年10月25日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： Ir