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J-GLOBAL ID：200902185724659030   整理番号：02A0177030

N-タイプナノ結晶とアモルファスセレニウムマトリックスからなるハイブリッド材料の電子物性

Electronic Properties of Hybrid Materials Consisting of N-type Nanocrystals and Amorphous Selenium Matrix.

著者 (5件)： SHIRAKAWA Y (Doshisha Univ., Kyotanabe, JPN) ,  SATAKE M (Doshisha Univ., Kyotanabe, JPN) ,  SHIMOSAKA A (Doshisha Univ., Kyotanabe, JPN) ,  HIDAKA J (Doshisha Univ., Kyotanabe, JPN) ,  KUSAKABE M (Niigata Inst. Technol., Kashiwazaki, JPN)
資料名： Journal of Chemical Engineering of Japan  (Journal of Chemical Engineering of Japan)
巻： 35  号： 1  ページ： 63-67  発行年： 2002年01月 
JST資料番号： S0629A  ISSN： 0021-9592  CODEN： JCEJAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-タイプアモルファスSeとn-タイプIn<sub>2</s...

シソーラス用語： カルコゲン化物 ,...

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分類 (1件)： 電子物性一般  (BM01000S)

引用文献 (15件)：

• Adler, D.; “Amorphous-Semiconductor Devices,” Scientific American, 236, 36–48 (1977)
• Bernede, J. C., S. Marsillac, A. Conan and A. Godoy; “The Influence of Microcrystalline Inhomogeneities Embedded in Amorphous In_xSe_100–x Films on Their Electrical and Optical Properties,” J. Phys.: Condens. Matter, 8, 3439–3451 (1996)
• Bidjin, D., S. Popovic and B. Celustka; “Some Electrical and Optical Properties of In₂Se₃,” Phys. Stat. Sol. (a), 6, 295–299 (1971)
• Clark, A. H.; “Properties of Inhomogeneous Amorphous and Polycrystalline Semiconductor Films,” Thin Solid Films, 108, 285–292 (1983)
• Daouchi, B., M. C. Record, J. C. Tedenac and G. Vassilev; “Phase Diagram Investigation of the Indium-Selenium System,” Z. Metallkd., 89, 612–617 (1998)

タイトルに関連する用語 (4件)： タイプ ,  ナノ結晶 ,  ハイブリッド材料 ,  電子物性