GaAs上へのInAs量子ドットの選択的位置づけへの原子間力顕微鏡による直接的パターン化の応用

HYON C K; CHOI S C; SONG S-H; HWANG S W; SON M H; AHN D; PARK Y J; KIM E K

文献

J-GLOBAL ID：200902185736300518 整理番号：01A0108897

GaAs上へのInAs量子ドットの選択的位置づけへの原子間力顕微鏡による直接的パターン化の応用

Application of atomic-force-microscope direct patterning to selective positioning of InAs quantum dots on GaAs.

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巻： 77 号： 16 ページ： 2607-2609 発行年： 2000年10月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

(100)GaAs基板上へのInAs量子ドットの選択的位置づ...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 半導体薄膜

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