文献

J-GLOBAL ID：200902185814004068   整理番号：02A0397793

側壁空乏型ゲートを持つシリコン単一電子トランジスタとダイナミック単一電子トランジスタ論理回路への応用

Silicon Single-Electron Transistors With Sidewall Depletion Gates and Their Application to Dynamic Single-Electron Transistor Logic.

著者 (8件)： KIM D H (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  SUNG S-K (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM K R (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE J D (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK B-G (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI B H (Univ. Seoul, Seoul, KOR) ,  HWANG S W (Univ. Seoul, Seoul, KOR) ,  AHN D (Univ. Seoul, Seoul, KOR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 49  号： 4  ページ： 627-635  発行年： 2002年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンオンインシュレータのナノメータ寸法ワイヤ上に形成した...

シソーラス用語： *単一電子トランジスタ ,...
準シソーラス用語： ディプリーション型

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0397793&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 側壁 ,  ゲート ,  シリコン ,  単一電子トランジスタ ,  論理回路 ,  応用