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J-GLOBAL ID:200902185910537832   整理番号:93A0247890

けい素ウエハにおける全反射X線蛍光分析の基本的特徴

Basic features of total-reflection X-ray fluorescence analysis on silicon wafers.
著者 (1件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 269-275  発行年: 1993年02月 
JST資料番号: B0793A  ISSN: 0584-8547  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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平坦,および研磨けい素試料表面上の励起X線の透過深さが数nm...
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分類 (2件):
分類
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無機物質中の元素の物理分析  ,  固体デバイス材料 
タイトルに関連する用語 (3件):
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