MEMS用ドープドポリシリコン厚膜の応力をエンジニアするためのプロセス技術

文献

J-GLOBAL ID：200902186146977314 整理番号：02A0740301

A Process Technique to Engineer the Stress of Thick Doped Polysilicon Films for MEMS Applications.

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資料名：
巻： 9th ページ： 207-211 発行年： 2002年
JST資料番号： W1259A ISSN： 1946-1542 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ポリシリコンは表面マイクロマシンMEMS用の材料として最も広...

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固体デバイス材料 , その他の固体デバイス

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