Bi2Sr2CaCu2O8+δ-SiO-Ag面状トンネル接合におけるゼロバイアスのコンダクタンスピークの増強

SHIGETA I; UCHIDA T; TOMINARI Y; ARAI T; ICHIKAWA F; FUKAMI T; AOMINE T; SVISTUNOV V M

文献

J-GLOBAL ID：200902186347373620 整理番号：00A0871515

Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ-SiO-Ag面状トンネル接合におけるゼロバイアスのコンダクタンスピークの増強

Zero Bias Conductance Peak Enhancement in Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ-SiO-Ag Planar Tunnel Junctions.

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 69 号： 9 ページ： 2743-2746 発行年： 2000年09月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

標記のトンネル接合を用いて,準粒子のトンネル効果について実験...

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Josephson接合・素子

引用文献 (22件)：

E. L. Wolf: Principles of Electron Tunneling Spectroscopy (Oxford University Press, Oxford, 1985).
H. Ding, M. R. Norman, J. C. Campuzano, M. Randeria, A. F. Bellman, T. Yokoya, T. Takahashi, T. Mochiku and K. Kadowaki: Phys. Rev. B 54 (1996-II) R9678.
Y. Itoh, K. Yoshimura, T. Ohomura, H. Yasuoka, Y. Ueda and K. Kosuge: J. Phys. Soc. Jpn. 63 (1994) 1455.
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