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J-GLOBAL ID：200902186385910213   整理番号：94A0237147

高効率薄膜Cu(In,Ga)Se₂光起電力素子 光吸収層製作の一般的手法における進歩

High efficiency thin-film Cu(In,Ga) Se₂-based photovoltaic devices: Progress towards a universal approach to absorber fabrication.

著者 (5件)： TUTTLE J R (National Renewable Energy Lab., CO) ,  CONTRERAS M (National Renewable Energy Lab., CO) ,  TENNANT A (National Renewable Energy Lab., CO) ,  ALBIN D (National Renewable Energy Lab., CO) ,  NOUFI R (National Renewable Energy Lab., CO)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 23rd  ページ： 415-421  発行年： 1993年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 物理蒸着CuInSe₂を基体にした薄膜...

シソーラス用語： 太陽電池 ,...

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分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高効率 ,  薄膜 ,  Cu ,  Ga ,  光起電力素子 ,  光吸収層 ,  製作 ,  手法