AlGaN/GaNヘテロ構造における高温電子輸送特性

MAEDA N; TSUBAKI K; SAITOH T; KOBAYASHI N

文献

J-GLOBAL ID：200902186856077517 整理番号：01A0912619

AlGaN/GaNヘテロ構造における高温電子輸送特性

High-temperature electron transport properties in AlGaN/GaN heterostructures.

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巻： 79 号： 11 ページ： 1634-1636 発行年： 2001年09月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Al<sub>0.15</sub>Ga<sub>0.85<...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , トランジスタ

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