文献

J-GLOBAL ID：200902187003870027   整理番号：97A0806616

真性SiC/SiO₂界面状態

Intrinsic SiC/SiO₂ Interface States.

著者 (4件)： AFANASEV V V (Univ. Leuven, Leuven, BEL) ,  BASSLER M (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  PENSL G (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  SCHULZ M (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 162  号： 1  ページ： 321-337  発行年： 1997年07月16日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々な(3C,4H,6H)SiCポリタイプを酸化したときでき...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0806616&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0774A") }}

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  SiO2 ,  界面状態