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J-GLOBAL ID：200902187282383955   整理番号：96A0004639

高分子への25nm以下のバイアスとトレンチのプリント

Imprint of sub-25nm vias and trenches in polymers.

著者 (3件)： CHOU S Y (Univ. Minnesota, Minnesota) ,  KRAUSS P R (Univ. Minnesota, Minnesota) ,  RENSTROM P J (Univ. Minnesota, Minnesota)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 67  号： 21  ページ： 3114-3116  発行年： 1995年11月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最小サイズが25nmで深さが100nmのバイアスとトレンチを...

シソーラス用語： ナノ構造 ,...
準シソーラス用語： ドット

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高分子 ,  バイアス ,  トレンチ