文献

J-GLOBAL ID：200902187395995710   整理番号：03A0083996

パターン化したサファイア基板とメッシュ電極を使った高い外部量子効率のInGaN系近紫外及び青発光ダイオード

InGaN-Based Near-Ultraviolet and Blue-Light-Emitting Diodes with High External Quantum Efficiency Using a Patterned Sapphire Substrate and a Mesh Electrode.

著者 (9件)： YAMADA M (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MITANI T (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  NARUKAWA Y (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  SHIOJI S (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  NIKI I (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  SONOBE S (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  DEGUCHI K (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  SANO M (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MUKAI T (Nichia Corp., Tokushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 12B  ページ： L1431-L1433  発行年： 2002年12月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に成長させたInGaN系発光ダイオード(LE...

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0083996&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (11件)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 2) S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa: J. Appl. Phys. 76 (1994) 8189.
• 3) K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato and T. Taguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L583.
• 4) J. Narayan, H. Wang, J. Ye, S. J. Hon, K. Fox, J. C. Chen, H. K. Choi and J. C. Fan: J. Appl. Phys. 81 (2002) 841.
• 5) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332.

タイトルに関連する用語 (7件)： サファイア基板 ,  メッシュ電極 ,  外部量子効率 ,  InGaN ,  近紫外 ,  青発光 ,  ダイオード