強誘電体メモリ電界効果トランジスタ用の低誘電率強誘電材料の開発

文献

J-GLOBAL ID：200902187886416215 整理番号：97A1019208

Development of Low Dielectric Constant Ferroelectric Materials for the Ferroelectric Memory Feild Effect Transistor.

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資料名：
巻： 36 号： 9B ページ： 5935-5938 発行年： 1997年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

金属-強誘電体-金属-絶縁体-半導体FET(MFMIS FE...

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強誘電体,反強誘電体,強弾性 , トランジスタ , 酸化物薄膜

引用文献 (7件)：

1) S. Y. Wu: Ferroelectrics 11 (1976) 379.
2) Y. Matsui, Y. Higuma, M. Okuyama, T. Nakazawa and Y. Hamakawa: Proc. 1st Meet. Ferroelectric Materials and Their Applications, Kyoto, 1977.
3) T. Nakamura, Y. Nakao, A. Kamisawa and H. Takasu: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 1522
4) T. Nakamura, Y. Nakao, A. Kamisawa and H. Takasu: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1944) 5207
5) N. Niizeki, T. Yamada and H. Toyoda: Jpn. J. Appl. Phys. 6 (1967) 318.

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