電子帯構造計算によるCsGeX<sub>3</sub>(X=Cl,Br)の構造及びバンドギャップの圧力誘起変化の解析

SEO D-K; GUPTA N; WHANGBO M-H; HILLEBRECHT H; THIELE G

文献

J-GLOBAL ID：200902187888546752 整理番号：98A0321919

電子帯構造計算によるCsGeX₃(X=Cl,Br)の構造及びバンドギャップの圧力誘起変化の解析

Pressure-Induced Changes in the Structure and Band Gap of CsGeX₃ (X=Cl,Br) Studied by Electronic Band Structure Calculations.

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資料名：
巻： 37 号： 3 ページ： 407-410 発行年： 1998年02月09日
JST資料番号： C0566A ISSN： 0020-1669 CODEN： INOCAJ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

セシウム三ハロゲン化金属塩CsGeX₃...

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分子の電子構造 , その他の無機化合物の結晶構造

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電子帯構造計算によるCsGeX3(X=Cl,Br)の構造及びバンドギャップの圧力誘起変化の解析

電子帯構造計算によるCsGeX₃(X=Cl,Br)の構造及びバンドギャップの圧力誘起変化の解析