文献
J-GLOBAL ID：200902188054396393   整理番号：96A0691420

Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor(CSTBT). A Novel Power Device for High Voltage Application.

著者 (4件)：
TAKAHASHI H

TAKAHASHI H について

(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN)

Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN について

, 
HARUGUCHI H

HARUGUCHI H について

(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN)

Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN について

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HAGINO H

HAGINO H について

(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN)

Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN について

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YAMADA T

YAMADA T について

(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN)

Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN について


資料名：
Proceedings of the 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC’s, 1996  (Proceedings of the 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, 1996)

Proceedings of the 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC’s, 1996 について


ページ： 349-352  発行年： 1996年 
JST資料番号： K19960461  ISBN： 0-7803-3107-9  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

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