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J-GLOBAL ID：200902188194942843   整理番号：01A0053520

局在電子のX線誘起光電子放出とそのサイト選択X線吸収微細構造測定への応用

X-ray induced photoemission of a localized electron and its application to site-selective x-ray absorption fine structure measurement.

著者 (4件)： ISHII M (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst.(JASRI), Hyogo, JPN) ,  YOSHINO Y (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  TAKARABE K (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  SHIMOMURA O (Japan Atomic Energy Res. Inst.(JAERI), Hyogo, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 88  号： 7  ページ： 3962-3967  発行年： 2000年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体におけるキャリア捕獲中心の局所構造解析に対し,サイト選...

シソーラス用語： *X線吸収スペクトル ,...
準シソーラス用語： X線吸収微細構造 ,...

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分類 (2件)： X線スペクトル一般  (BM08101P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： X線 ,  誘起 ,  光電子放出 ,  サイト選択 ,  X線吸収微細構造 ,  応用