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J-GLOBAL ID：200902188289463560   整理番号：99A0948312

InGaN/GaN量子井戸中に形成された電界による線形電気光学効果

Linear electro-optic effect due to the built-in electric field in InGaN/GaN quantum wells.

著者 (2件)： JIANG H (Univ. Michigan, Michigan) ,  SINGH J (Univ. Michigan, Michigan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 13  ページ： 1932-1934  発行年： 1999年09月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強い圧電効果と大きな格子不整合により,InGaN/GaN量子...

シソーラス用語： 窒化物 ,...
準シソーラス用語： 光変調器

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  電界 ,  線形 ,  電気光学効果