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J-GLOBAL ID：200902188318205060   整理番号：98A0810897

低速イオン注入による炭化けい素の水素パツシベーション

Hydrogen passivation of silicon carbide by low-energy ion implantation.

著者 (6件)： ACHTZIGER N (Univ. Jena, Jena, DEU) ,  GRILLENBERGER J (Univ. Jena, Jena, DEU) ,  WITTHUHN W (Univ. Jena, Jena, DEU) ,  LINNARSSON M K (Royal Inst. Technol., Kista-Stockholm, SWE) ,  JANSON M (Royal Inst. Technol., Kista-Stockholm, SWE) ,  SVENSSON B G (Royal Inst. Technol., Kista-Stockholm, SWE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 73  号： 7  ページ： 945-947  発行年： 1998年08月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 重水素のイオン注入を行ってエピタキシャルα-SiCにおける水...

シソーラス用語： *イオン注入 ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低速 ,  イオン注入 ,  炭化けい素 ,  水素