文献

J-GLOBAL ID：200902188321858318   整理番号：02A0889896

InGaN/GaN量子井戸構造と発光ダイオードの発光特性に及ぼす量子井戸形状の影響

Influence of the quantum-well shape on the light emission characteristics of InGaN/GaN quantum-well structures and light-emitting diodes.

著者 (9件)： SHIM H W (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  CHOI R J (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  JEONG S M (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  VAN VINH L (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  HONG C-H (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  SUH E-K (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  LEE H J (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  KIM Y-W (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HWANG Y G (Wonkwang Univ., Iksan, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 81  号： 19  ページ： 3552-3554  発行年： 2002年11月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN量子井戸構造の成長の過程で,In組成に勾配...

シソーラス用語： 窒化物 ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムインジウム

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0889896&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  発光ダイオード ,  発光特性