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J-GLOBAL ID：200902188329411061   整理番号：01A0982309

Cl₂/BCl₃化学を用いて誘導結合プラズマエッチングしたGaN表面の特性

Characterization of inductively coupled plasma etched surface of GaN using Cl₂/BCl₃ chemistry.

著者 (5件)： TRIPATHY S (National Univ. Singapore, Singapore) ,  RAMAM A (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP) ,  CHUA S J (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP) ,  PAN J S (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP) ,  HUAN A (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 19  号： 5  ページ： 2522-2532  発行年： 2001年09月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のICP条件下でCl₂/BCl<s...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： BCl3 ,  化学 ,  誘導結合プラズマ ,  エッチング ,  GaN