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J-GLOBAL ID:200902188777902076   整理番号:94A0297924

反応性イオンめっきにより作製した透明低抵抗のIn2O3

Low-resistivity transparent In2O3 films prepared by reactive ion plating.
著者 (5件):
資料名:
巻: 64  号: 10  ページ: 1215-1217  発行年: 1994年03月07日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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約10-4Torrの酸素雰囲気中の純I...
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分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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