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J-GLOBAL ID：200902188948442788   整理番号：95A0517484

サファイア基板に成長させたGaNエピタキシャル層の熱応力

Thermal stress in GaN epitaxial layers grown on sapphire substrates.

著者 (6件)： KOZAWA T (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  KACHI T (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  KANO H (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  NAGASE H (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  KOIDE N (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  MANABE K (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 77  号： 9  ページ： 4389-4392  発行年： 1995年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlNバッファ層を用いてMOVPE成長させた種々の膜厚のGa...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア基板 ,  成長 ,  GaN ,  エピタキシャル層 ,  熱応力