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J-GLOBAL ID：200902189154418463   整理番号：96A0107555

Si1-xCx合金の電気特性と変調ドープSi/Si1-xCx/Si構造

Electrical properties of Si1-xCx alloys and modulation doped Si/Si1-xCx/Si structures.
著者 (4件)：
FASCHINGER W

FASCHINGER W について

(Univ. Linz, AUT)

Univ. Linz, AUT について

, 
ZERLAUTH S

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(Univ. Linz, AUT)

Univ. Linz, AUT について

, 
BAUER G

BAUER G について

(Univ. Linz, AUT)

Univ. Linz, AUT について

, 
PALMETSHOFER L

PALMETSHOFER L について

(Univ. Linz, AUT)

Univ. Linz, AUT について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 67  号： 26  ページ： 3933-3935  発行年： 1995年12月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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分子ビームエピタクシーによって成長させたアンドープとSbドー...
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ケイ素合金

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分類 (1件)：
分類
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半導体結晶の電気伝導 
(BM03043X)

半導体結晶の電気伝導 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
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変調ドープ

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