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J-GLOBAL ID：200902189235388623   整理番号：93A0769248

偏光解析法と選択的ぬれによるイオン注入したシリコンのldyer-by-layerの研究

Layer-by-layer investigation of ion-implanted silicon by methods of ellipsometry and selective wetting.

著者 (4件)： BAKHTUROVA L F (Inst. Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN) ,  BAKOVETS V V (Inst. Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN) ,  DOLGOVESOVA I P (Inst. Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN) ,  AYUPOV B M (Inst. Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 27  号： 4  ページ： 327-330  発行年： 1993年04月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 40keVの⁴⁰Ar<sup>+</s...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 偏光解析法 ,  ぬれ ,  イオン注入 ,  シリコン ,  研究