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J-GLOBAL ID：200902189256448480   整理番号：01A0536425

圧力制御溶液成長法によるGaNバルク結晶成長

著者 (2件)： 井上孝行 (ジャパンエナジー) ,  田口常正 (山口大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 70  号： 5  ページ： 567-568  発行年： 2001年05月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 圧力制御溶液成長(PC-SG)法の成長原理及び成長機構につい...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  高圧技術  (BA02030W)

引用文献 (5件)：

• KARPINSKI, J. J. Cryst. Growth. 1984, 66, 1
• POROWSKI, S. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1999, 4S1, G13
• KAMP, M. Ext. Abstr. 3rd Int. Symp. Blue Laser and Light Emitting Diodes. 2000, No WeC2
• INOUE, T. Phys. Status Solidi. 2001, b223, 15
• KRUKOWSKI, S. Proc. 15th Melt Growth Meet. 1999, 279

タイトルに関連する用語 (5件)： 圧力制御 ,  溶液成長 ,  GaN ,  バルク ,  結晶成長