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J-GLOBAL ID：200902103900045013   整理番号：01A0279294

高圧下でのバルクGaN結晶の圧力制御された融液成長

Pressure-Controlled Solution Growth of Bulk GaN Crystals under High Pressure.

著者 (6件)： INOUE T (Japan Energy Corp., Saitama, JPN) ,  SEKI Y (Japan Energy Corp., Saitama, JPN) ,  ODA O (Japan Energy Corp., Saitama, JPN) ,  KURAI S (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  YAMADA Y (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TAGUCHI T (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Research  (Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻： 223  号： 1  ページ： 15-27  発行年： 2001年01月01日 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧力制御された融液成長(PC-SG)の方法を開発し,この方法...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： TEM【電顕】

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高圧 ,  バルク ,  GaN ,  結晶 ,  圧力制御 ,  融液成長