酸素を制御した表面反応によるCVD技術を使ったギガビットDRAM中のMIMキャパシタ用ルテニウムコンフォーマル電極

HIRATANI M; NABATAME T; MATSUI Y; SHIMAMOTO Y; SASAGO Y; NAKAMURA Y; OHJI Y; ASANO I; KIMURA S

文献

J-GLOBAL ID：200902189443227978 整理番号：00A0897561

酸素を制御した表面反応によるCVD技術を使ったギガビットDRAM中のMIMキャパシタ用ルテニウムコンフォーマル電極

A Conformal Ruthenium Electrode for MIM Capacitors in Gbit DRAMs Using the CVD Technology Based on Oxygen-Controlled Surface Reaction.

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巻： 2000 ページ： 102-103 発行年： 2000年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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