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J-GLOBAL ID：200902189715679962   整理番号：94A0089309

「ZnSeと半絶縁性GaAsとの界面でのフォノン-プラズモン結合モードのRaman分光法による観察」[Appl.Phys.Lett.62,1800(1993)]に対するコメントに対する返答

Response to “Comment on ‘Observation of phonon-plasmon coupled modes at the interface between ZnSe and semi-insulating GaAs by micro-Raman spectroscopy’” [Appl. Phys. Lett. 62, 1800(1993)].

著者 (5件)： ICHIMURA M (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  FUJITA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  USAMI A (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  FUJITA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  WADA T (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 63  号： 23  ページ： 3237  発行年： 1993年12月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pagesらのコメント(同誌,63,3236(1993))に...

シソーラス用語： セレン化亜鉛 ,...
準シソーラス用語： フォノン-プラズモン結合 ,...

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分類 (2件)： 表面の格子振動  (BL03060R) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (9件)： ZnSe ,  半絶縁性 ,  GaAs ,  界面 ,  フォノン ,  プラズモン結合 ,  Raman分光法 ,  観察 ,  コメント