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J-GLOBAL ID：200902189855723783   整理番号：01A0650325

高κゲート誘電体 現状と材料特性の考察

High-κ gate dielectrics: Current status and materials properties considerations.

著者 (3件)： WILK G D (Agere Systems, New Jersey) ,  WALLACE R M (Univ. North Texas, Texas) ,  ANTHONY J M (Univ. South Florida, Florida)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 89  号： 10  ページ： 5243-5275  発行年： 2001年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.1μm以下のCMOS技術のためのゲート誘電体材料としてS...

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,...
準シソーラス用語： ゲート誘電体 ,...

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分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高κゲート誘電体 ,  現状 ,  材料特性