文献

J-GLOBAL ID：200902189891798560   整理番号：99A0326906

Si(111)上に部分イオン化ビームエピタクシーによって成長させたCaF₂/CdF₂三重障壁共鳴トンネルダイオードの負の微分抵抗

Negative Differential Resistance of CaF₂/CdF₂ Triple-Barrier Resonant-Tunneling Diode on Si(111) Grown by Partially Ionized Beam Epitaxy.

著者 (4件)： WATANABE M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  AOKI Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SAITO W (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TSUGANEZAWA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 2A  ページ： L116-L118  発行年： 1999年02月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上の三重障壁CaF₂/CdF<...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (10件)：

• 1) W. Saitoh, K. Yamazaki, M. Asada and M. Watanabe: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1104.
• 2) Y. Aoki, J. Nishiyama, W. Saitoh, M. Watanabe and M. Asada: The 44th Spring Meet. Jpn. Soc. Appl. Phys. and Related Societies, March, 30a-A3, 1997.
• 3) N. S. Sokolov, S. V. Gastev, S. V. Novikov, N. L. Yakovlev, A. Izumi and S. Furukawa: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 2964.
• 4) R. T. Poole and D. R. William: Chem. Phys. Lett. 36 (1975) 401.
• 5) D. Shanarabny, M. Wolf and D. Gerlich: J. Phys. Chem. Solids 37 (1976) 577.

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  イオン化 ,  ビーム ,  エピタクシー ,  成長 ,  CaF2 ,  障壁 ,  共鳴トンネルダイオード ,  微分抵抗