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J-GLOBAL ID：200902190026998757   整理番号：95A0707695

GaAs/GaSb/Siヘテロ構造に対する熱アニーリングによる転位密度の低減

Reduction of dislocation density by thermal annealing for GaAs/GaSb/Si heterostructure.

著者 (5件)： UCHIDA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SOGA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  NISHIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  JIMBO T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  UMENO M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 150  号： 1/4 Pt 1  ページ： 681-684  発行年： 1995年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaSb中間層があるSi上でのGaAsの分子ビームエピタクシ...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  GaSb ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  熱アニーリング ,  転位密度