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J-GLOBAL ID：200902190180833590   整理番号：00A0596573

コンプライアント基板上に成長したエピタキシャル層の臨界厚に与える歪み移動の効果

Effect of strain transfer on critical thickness for epitaxial layers grown on compliant substrate.

著者 (1件)： HUANG F Y (IBM Microelectronics, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 21  ページ： 3046-3048  発行年： 2000年05月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜基板上に成長した歪み層の臨界厚を平衡理論に基づいて解析し...

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 成長 ,  エピタキシャル層 ,  臨界 ,  厚 ,  歪み