III-(N,V)混晶半導体の物性と光素子への応用の可能性 GaN<sub>x</sub>As<sub>1-x</sub>を例にとって

文献

J-GLOBAL ID：200902190316056550 整理番号：96A0194528

III-(N,V)混晶半導体の物性と光素子への応用の可能性 GaN_xAs_1-xを例にとって

Novel nitride materials: III-(N,V) alloy semiconductors.

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=96A0194528&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0194528&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0252A") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 65 号： 2 ページ： 148-152 発行年： 1996年02月
JST資料番号： F0252A ISSN： 0369-8009 CODEN： OYBSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

GaNAsに代表されるN系V族(III-(N,V))混晶半導...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0194528&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0252A") }}

半導体レーザ , 半導体薄膜

引用文献 (22件)：

SATO, M. 19th Int. Symp. GaAs and Related Compound Semiconductors, Karuizawa, 1992, Inst. Phys. Conf. Ser. 1993, 129, 555
BAILLARGEON, J. N. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 2540
IGARASHI, O. Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, 3791
OHKOUCHI, N. 12th Alloy Semiconductor Physics and Electronics Symp., Izu-Nagaoka, 1993. 1993, 337
MIYOSHI, S. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 3506

, , , ,

前のページに戻る