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J-GLOBAL ID：200902190353230943   整理番号：96A0299887

GaNの室温における光促進湿式エッチング

Room-temperature photoenhanced wet etching of GaN.

著者 (3件)： MINSKY M S (Univ. California, California) ,  WHITE M (Univ. California, California) ,  HU E L (Univ. California, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 68  号： 11  ページ： 1531-1533  発行年： 1996年03月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希釈HCl:H₂O(1:10)または4...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 試料技術  (BA02070O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  室温 ,  促進 ,  湿式エッチング