歪んだSi/Si<sub>0.7</sub>Ge<sub>0.3</sub>ヘテロ構造の熱安定性

SUGII N

文献

J-GLOBAL ID：200902190755728530 整理番号：01A0749914

歪んだSi/Si_0.7Ge_0.3ヘテロ構造の熱安定性

Thermal stability of the strained-Si/Si_0.7Ge_0.3 heterostructure.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 89 号： 11,Pt.1 ページ： 6459-6463 発行年： 2001年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記ヘテロ構造の熱安定性を二次イオン質量分析,Raman分光...

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半導体薄膜 , 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合

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歪んだSi/Si0.7Ge0.3ヘテロ構造の熱安定性

歪んだSi/Si_0.7Ge_0.3ヘテロ構造の熱安定性