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J-GLOBAL ID：200902190782049157   整理番号：01A0976263

高いGe組成比を持つ非常に薄い絶縁体上のSiGe擬基板上の歪みSiの作製

Fabrication of strained Si on an ultrathin SiGe-on-insulator virtual substrate with a high-Ge fraction.

著者 (3件)： TEZUKA T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUGIYAMA N (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKAGI S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 79  号： 12  ページ： 1798-1800  発行年： 2001年09月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上のSi_1-xGe<sub>x<...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  組成比 ,  絶縁体 ,  SiGe ,  歪み ,  Si ,  作製