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J-GLOBAL ID：200902190879112945   整理番号：99A0525638

シリコン上に直接堆積したけい酸ハフニウム絶縁体ゲートの電気特性

Electrical properties of hafnium silicate gate dielectrics deposited directly on silicon.

著者 (2件)： WILK G D (Texas Instruments, Texas) ,  WALLACE R M (Texas Instruments, Texas)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 74  号： 19  ページ： 2854-2856  発行年： 1999年05月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に6at%のHfをドープした標記薄膜をスパッタリン...

シソーラス用語： CMOS構造 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  堆積 ,  けい酸ハフニウム ,  絶縁体 ,  ゲート ,  電気特性