超薄ウエハを用いることによるJ-FET抵抗を持たない高電圧MCCTの新概念

文献

J-GLOBAL ID：200902191112850696 整理番号：98A0861358

A New Concept for High Voltage MCCT with No J-FET Resistance by Using a Very Thin Wafer.

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資料名：
巻： 1997 ページ： 351-354 発行年： 1997年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

パンチスルーのない高電圧MOS制御型カスコードサイリスタ(H...

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サイリスタ

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